Nonvolatile Memory Device

• Main Authors: SHIM, DONG KYO, LIM, BONG SOON, JEON, SU CHANG, YU, CHANG YEON, KIM, JIN YOUNG, SONG, KI WHAN, KIM, SEONG JIN, PARK, JUNE HONG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 16.08.2018
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

The present invention provides a nonvolatile memory device capable of effectively sensing an on-cell and an off-cell while reducing a time consumed to sense data stored in a memory cell. According to an embodiment of the present invention, the nonvolatile memory device comprises: a memory cell array including a plurality of planes; a plurality of page buffer parts correspondingly located on each of the plurality of planes; and a control logic transmitting a bit line set-up signal to each of the plurality of page buffer parts. Each of the plurality of page buffer parts includes a shut-off circuit performing a bit line shut-off operation, in response to a precharge circuit for precharging a sensing node and the bit line and a bit line shut-off signal, in response to the bit line set-up signal. The control logic can control a transition time in which a level of the bit line set-up signal is changed according to a slope in which the bit line shut-off signal is changed from a first level to a second level. 본 개시의 일 실시예에 따른 비휘발성 메모리 장치는 복수의 플레인들을 포함하는 메모리 셀 어레이, 복수의 플레인들 각각에 대응하여 배치되는 복수의 페이지 버퍼부들, 및 복수의 페이지 버퍼부들 각각으로 비트 라인 셋업 신호를 전송하는 제어 로직을 포함하고, 복수의 페이지 버퍼부들 각각은 비트 라인 셋업 신호에 응답하여, 센싱 노드 및 비트 라인을 프리차지하기 위한 프리차지 회로 및 비트 라인 셧오프 신호에 응답하여, 비트 라인 셧오프 동작을 수행하는 셧오프 회로를 포함하고, 제어 로직은 비트 라인 셧오프 신호가 제1 레벨에서 제2 레벨로 변하는 기울기에 따라, 비트 라인 셋업 신호의 레벨이 변경되는 천이 시점(Transition Time)을 제어할 수 있다.