반도체 프로세스 장비를 위한 내부식성 코팅

• Main Authors: GORADIA PRERNA, PAREEK YOGITA, THAKUR BIPIN, KADAM ANKUR, BAJAJ GEETIKA
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 01.08.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

반도체 프로세스 장비를 위한 내부식성 코팅, 및 반도체 프로세스 장비를 위한 내부식성 코팅들을 제조하는 방법들이 본원에 제공된다. 일부 실시예들에서, 반도체 프로세싱 챔버 컴포넌트를 처리하는 방법은: 알루미늄 함유 바디 최상부에 내부식성 코팅을 형성하기 위해, 알루미늄 함유 바디를 포함하는 반도체 프로세싱 챔버 컴포넌트를 중성 전해질 및 저항성 재료를 포함하는 양극산화 용액에서 양극산화시키는 단계를 포함한다. 일부 실시예들에서, 반도체 프로세싱 챔버 컴포넌트를 처리하는 방법은: 알루미늄 함유 바디의 표면 상에 알루미늄 산화물 층을 형성하기 위해, 알루미늄 함유 바디를 포함하는 반도체 프로세싱 챔버 컴포넌트를 중성 전해질 용액에서 양극산화시키는 단계; 및 알루미늄 산화물 층 최상부에 저항성 재료 층을 형성하기 위해, 양극산화된 반도체 프로세싱 챔버 컴포넌트를 저항성 재료 용액에 디핑하는 단계를 포함한다. A corrosion resistant coating for semiconductor process equipment and methods of making corrosion resistant coatings for semiconductor process equipment are provided herein. In some embodiments, a method of treating a semiconductor processing chamber component, includes: anodizing a semiconductor processing chamber component comprising an aluminum containing body in an anodizing solution comprising a neutral electrolyte and a resistive material to form a corrosion resistant coating atop the aluminum containing body. In some embodiments, a method of treating a semiconductor processing chamber component, includes: anodizing a semiconductor processing chamber component comprising an aluminum containing body in a neutral electrolyte solution to form an aluminum oxide layer on a surface of the aluminum containing body; and dipping the anodized semiconductor processing chamber component in a resistive material solution to form a resistive material layer atop the aluminum oxide layer.