기판 내로의 도펀트 확산의 무손상 향상

기판을 도핑하는 방법. 방법은, 300 ℃ 이상의 주입 온도에서 기판의 표면을 통해 기판 내로 헬륨 종의 도우즈를 주입하는 단계를 포함할 수 있다. 방법은, 기판의 표면 상에 도펀트를 포함하는 도핑 층을 증착하는 단계, 및 어닐링 온도에서 기판을 어닐링하는 단계로서, 어닐링 온도는 주입 온도보다 더 큰, 단계를 더 포함할 수 있다. A method of doping a substrate. The method may include implanting a dose of a helium species into the substrate t...

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Main Authors ROWLAND CHRISTOPHER A, HATEM CHRISTOPHER R
Format Patent
LanguageKorean
Published 01.08.2018
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:기판을 도핑하는 방법. 방법은, 300 ℃ 이상의 주입 온도에서 기판의 표면을 통해 기판 내로 헬륨 종의 도우즈를 주입하는 단계를 포함할 수 있다. 방법은, 기판의 표면 상에 도펀트를 포함하는 도핑 층을 증착하는 단계, 및 어닐링 온도에서 기판을 어닐링하는 단계로서, 어닐링 온도는 주입 온도보다 더 큰, 단계를 더 포함할 수 있다. A method of doping a substrate. The method may include implanting a dose of a helium species into the substrate through a surface of the substrate at an implant temperature of 300° C. or greater. The method may further include depositing a doping layer containing a dopant on the surface of the substrate, and annealing the substrate at an anneal temperature, the anneal temperature being greater than the implant temperature.
Bibliography:Application Number: KR20187020175