플렉서블 전자 장치 및 이를 위한 제조 방법
플렉서블 전자 장치와 이를 제조하는 방법이 제공된다. 상기 플렉서블 전자 장치(200)는 플렉서블 기판(210) 및 상기 플렉서블 기판(210) 상에 형성되는 소자층을 구비한다. 상기 소자층은 반도체 구조(220)와 상기 반도체 구조에 연결되는 제 1 배선 구조(230)를 구비하고, 상기 제 1 배선 구조(230)는 상기 반도체 구조(220)의 채널 방향과 동일한 연장 방향을 가진다. 상기 제 1 배선 구조(230)의 연장 방향은 상기 플렉서블 기판(210)의 신장(stretching) 방향과 90° 보다 작은 끼인각(include...
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Format | Patent |
Language | Korean |
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31.07.2018
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Summary: | 플렉서블 전자 장치와 이를 제조하는 방법이 제공된다. 상기 플렉서블 전자 장치(200)는 플렉서블 기판(210) 및 상기 플렉서블 기판(210) 상에 형성되는 소자층을 구비한다. 상기 소자층은 반도체 구조(220)와 상기 반도체 구조에 연결되는 제 1 배선 구조(230)를 구비하고, 상기 제 1 배선 구조(230)는 상기 반도체 구조(220)의 채널 방향과 동일한 연장 방향을 가진다. 상기 제 1 배선 구조(230)의 연장 방향은 상기 플렉서블 기판(210)의 신장(stretching) 방향과 90° 보다 작은 끼인각(included angle)을 형성한다. 본 발명의 상기 플렉서블 전자 장치(210)와 이를 제조하는 방법에 있어서, 상기 반도체 구조(220)의 채널 방향과 상기 제 1 배선 구조(230)의 연장 방향을 조정하여, 상기 반도체 구조(220)와 제 1 배선 구조(230)가 응력에 대해 최소한의 영향만 받음으로써, 플렉서블 전자 장치(200)의 전기적 특성과 유연성을 보장한다.
Provided are a flexible electronic device and a manufacturing method thereof. The flexible electronic device (200) comprises a flexible substrate (210) and a device layer formed on the flexible substrate (210). The device layer comprises a semiconductor structure (220) and a wire structure (230) connected to the semiconductor structure, the wire structure (230) having an extension direction same to a channel direction of the semiconductor structure (220). The extension direction of the first wire structure (230) forms an included angle smaller than 90° with respect to a stretching direction of the flexible substrate (210). In the flexible electronic device (200) and manufacturing method thereof of the present invention, the channel direction of the semiconductor structure (220) and the extension direction of the first wire structure (230) are adjusted, such that the semiconductor structure (220) and the first wire structure (230) are least affected by a stress, thus ensuring electrical property and flexibility of the flexible electronic device (200). |
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Bibliography: | Application Number: KR20187017222 |