Semiconductor memory device

• Main Authors: SHIN, KWANG IL, BAK, JUNG HOON
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 31.07.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a semiconductor memory device including a magnetic tunnel junction with further improved electrical characteristics. The semiconductor memory device includes: a semiconductor substrate including a cell region and a peripheral region; a cell bottom wire disposed on the semiconductor substrate in the cell region; a peripheral bottom wire disposed on the semiconductor substrate in the peripheral region; an interlayer insulating film for covering the cell bottom wire and the peripheral bottom wire; a lower contact plug connected to the cell bottom wire through the interlayer insulating film; a data storage pattern connected to the lower contact plug; a mold film for covering the data storage pattern; a bit line connected to data storage patterns through the mold film in the cell region; and a peripheral top wire connected to the peripheral bottom wire through the mold film in the peripheral region. 자기 터널 접합을 포함하는 반도체 메모리 장치가 제공된다. 반도체 메모리 장치는 셀 영역 및 주변 영역을 포함하는 반도체 기판; 상기 셀 영역의 상기 반도체 기판 상에 배치되는 셀 하부 배선; 상기 주변 영역의 상기 반도체 기판 상에 배치되는 주변 하부 배선; 상기 셀 하부 배선 및 주변 하부 배선을 덮는 층간 절연막; 상기 층간 절연막을 관통하여 상기 셀 하부 배선에 접속되는 하부 콘택 플러그; 상기 하부 콘택 플러그에 접속되는 데이터 저장 패턴; 상기 데이터 저장 패턴을 덮는 몰드막; 상기 셀 영역에서 상기 몰드막을 관통하여 상기 데이터 저장 패턴들에 접속되는 비트 라인; 및 상기 주변 영역에서 상기 몰드막을 관통하여 상기 주변 하부 배선에 접속되는 주변 상부 배선을 포함한다.