VERTICAL TYPE LIGHT EMITTING DIODE
Provided is a vertical light emitting diode having a mesa having a groove. According to an embodiment of the present invention, the light emitting diode comprises: a support substrate; a first conductive semiconductor layer arranged on the upper part of the support substrate; a mesa including an act...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
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25.07.2018
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Summary: | Provided is a vertical light emitting diode having a mesa having a groove. According to an embodiment of the present invention, the light emitting diode comprises: a support substrate; a first conductive semiconductor layer arranged on the upper part of the support substrate; a mesa including an active layer and a second conductive semiconductor layer, positioned under a partial region of the first conductive semiconductor layer to expose the edge of the first conductive semiconductor layer, and including a groove exposing the first conductive semiconductor layer through the second conductive semiconductor layer and the active layer; a first electrode arranged between the second conductive semiconductor layer and the support substrate, and including a first contact part electrically connected to the first conductive semiconductor layer around the mesa and a second contact part electrically connected to the first conductive semiconductor layer through the groove; a second electrode arranged between the first electrode and the second conductive semiconductor layer, and electrically connected to the second conductive semiconductor layer; and an upper electrode pad connected to the second electrode adjacent to the first conductive semiconductor layer, wherein the groove surrounds a region including the center of the mesa and is partially opened.
그루브를 구비하는 메사를 가지는 수직형 발광 다이오드가 제공된다. 일 실시예에 따른 발광 다이오드는, 지지기판; 지지기판 상부에 배치된 제1 도전형 반도체층; 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 제1 도전형 반도체층의 가장자리를 노출시키도록 제1 도전형 반도체층의 일부 영역 하부에 위치하며, 제2 도전형 반도체층 및 활성층을 통해 제1 도전형 반도체층을 노출시키는 그루브를 포함하는 메사; 제2 도전형 반도체층과 지지기판 사이에 배치되되, 메사 주위에서 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 접속된 제1 콘택부 및 그루브를 통해 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 접속된 제2 콘택부를 포함하는 제1 전극; 제1 전극과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되어 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 접속된 제2 전극; 및 제1 도전형 반도체층에 인접하여 제2 전극에 접속하는 상부 전극 패드를 포함하고, 그루브는 메사의 중심을 포함하는 영역을 둘러싸되 일부가 오픈된 형상을 갖는다. |
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Bibliography: | Application Number: KR20180004980 |