MRAM CMOS Image SensorCIS comprising MRAMMagnetic Random Access Memory

• Main Authors: KOH, GWAN HYEOB, KIM, DAE SHIK
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 23.07.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; SEMICONDUCTOR DEVICES

A technical idea of the present invention provides a complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) image sensor (CIS) capable of simplifying a stacked structure of the CIS and while improving operation characteristics of the CIS. The CIS includes an upper chip in which a plurality of pixels are arranged in a two-dimensional array structure; and a lower chip disposed under the upper chip and including a logic region provided with logic elements and a memory region embedded therein with a magnetic random access memory (MRAM), wherein the MRAM is used as an image buffer memory for storing image data processed in the logic region. 본 발명의 기술적 사상은 적층 구조의 CIS의 구조를 단순화하면서도, CIS의 동작 특성을 개선할 수 있는 CIS를 제공한다. 그 CIS는 다수의 픽셀들이 2차원 어레이 구조로 배치된 상부 칩; 및 상기 상부 칩의 하부에 배치되고, 로직 소자들이 배치된 로직 영역과 MRAM(Magnetic Random Access Memory)이 임베디드(embedded) 형태로 배치된 메모리 영역을 구비한 하부 칩;을 포함하고, 상기 MRAM은 상기 로직 영역에서 처리된 이미지 데이터를 저장하는 이미지 버퍼 메모리로 사용된다.