Semiconductor light emitting device including a floating conductive pattern

• Main Authors: KIM, TAE HUN, LEE, DONG YEOUL, LEE, SU YEOL, KIM, JAE YOON, SUNG, YOUNG KYU, YONG, GAM HAN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 20.07.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a semiconductor light emitting device including a floating conductive pattern. The semiconductor light emitting device comprises: a first semiconductor layer which has a recess region and a protruding region; an active layer and a second semiconductor layer which are sequentially stacked on the protruding region of the first semiconductor layer; a contact structure which is arranged on the second semiconductor layer; a lower insulating pattern which covers the first semiconductor layer and the contact structure, and has a first opening part exposing a contact region of the first semiconductor layer and a second opening part exposing a contact region of the contact structure; a first conductive pattern which is arranged on the lower insulating pattern and extends into the first opening part of the lower insulating pattern to be electrically connected to the contact region of the first semiconductor layer; a second conductive pattern which is arranged on the lower insulating pattern and extends into the second opening part of the lower insulating pattern to be electrically connected to the contact structure; and a floating conductive pattern which is arranged on the lower insulating pattern and is separated from the first conductive pattern. The first and second conductive patterns and the floating conductive pattern have the same thickness on the same plane. 플로팅 도전성 패턴을 포함하는 반도체 발광 소자를 제공한다. 이 반도체 발광 소자는 리세스 영역 및 돌출 영역을 갖는 제1 반도체 층; 상기 제1 반도체 층의 상기 돌출 영역 상에 차례로 적층된 활성 층 및 제2 반도체 층; 상기 제2 반도체 층 상에 배치되는 콘택 구조체; 상기 제1 반도체 층 및 상기 콘택 구조체를 덮으며 상기 제1 반도체 층의 콘택 영역을 노출시키는 제1 개구부 및 상기 콘택 구조체의 콘택 영역을 노출시키는 제2 개구부를 갖는 하부 절연성 패턴; 상기 하부 절연성 패턴 상에 배치되며 상기 하부 절연성 패턴의 상기 제1 개구부 내로 연장되어 상기 제1 반도체 층의 상기 콘택 영역과 전기적으로 연결되는 제1 도전성 패턴; 상기 하부 절연성 패턴 상에 배치되며 상기 하부 절연성 패턴의 상기 제2 개구부 내로 연장되어 상기 콘택 구조체와 전기적으로 연결되는 제2 도전성 패턴; 및 상기 하부 절연성 패턴 상에 배치되며 상기 제1 도전성 패턴과 이격된 플로팅 도전성 패턴을 포함한다. 상기 제1 및 제2 도전성 패턴들, 및 상기 플로팅 도전성 패턴은 동일 평면에서 서로 동일한 두께를 갖는다.