FILM FORMING COMPOSITION AND ION IMPLANTATION METHOD

[과제] 이온주입방법 및 이온주입용 막형성 조성물 및 레지스트 하층막 형성 조성물을 제공하는 것. [해결수단] 13족, 14족, 15족 또는 16족의 원소를 포함하는 화합물 및 유기용제를 포함하는 막형성 조성물을 기판 상에 도포하고 베이크하여 막을 형성하는 공정, 불순물 이온을 상기 막의 상방으로부터 상기 막을 개재하여 상기 기판에 주입함과 동시에, 상기 막 중의 13족, 14족, 15족 또는 16족의 원소를 상기 기판 중에 도입하는 공정을 포함하는, 이온주입방법. 상기 막형성 조성물은, 13족, 14족, 15족 또는 16족의 원소...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors OHASHI TOMOYA, KISHIOKA TAKAHIRO
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 17.07.2018
Subjects
Online AccessGet full text

Cover

Loading…
Abstract [과제] 이온주입방법 및 이온주입용 막형성 조성물 및 레지스트 하층막 형성 조성물을 제공하는 것. [해결수단] 13족, 14족, 15족 또는 16족의 원소를 포함하는 화합물 및 유기용제를 포함하는 막형성 조성물을 기판 상에 도포하고 베이크하여 막을 형성하는 공정, 불순물 이온을 상기 막의 상방으로부터 상기 막을 개재하여 상기 기판에 주입함과 동시에, 상기 막 중의 13족, 14족, 15족 또는 16족의 원소를 상기 기판 중에 도입하는 공정을 포함하는, 이온주입방법. 상기 막형성 조성물은, 13족, 14족, 15족 또는 16족의 원소를 포함하는 화합물 및 유기용제를 포함하는 이온주입용 막형성 조성물이다. 또한, 적어도 2개의 붕산에스테르기를 가지는 화합물을 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물이다. There is provided an ion implantation method, a composition for forming an ion implantation film and a resist underlayer film-forming composition. An ion implantation method including the steps of: forming a film by applying a film-forming composition containing a compound including an element in group 13, group 14, group 15, or group 16 and an organic solvent onto a substrate and baking the film-forming composition; and implanting impurity ions into the substrate from above through the film and introducing the element in group 13, group 14, group 15, or group 16 in the film into the substrate. The film-forming composition is a film-forming composition for ion implantation containing a compound including an element in group 13, group 14, group 15, or group 16, and an organic solvent. In addition, the underlayer film-forming composition contains a compound having at least two borate ester groups.
AbstractList [과제] 이온주입방법 및 이온주입용 막형성 조성물 및 레지스트 하층막 형성 조성물을 제공하는 것. [해결수단] 13족, 14족, 15족 또는 16족의 원소를 포함하는 화합물 및 유기용제를 포함하는 막형성 조성물을 기판 상에 도포하고 베이크하여 막을 형성하는 공정, 불순물 이온을 상기 막의 상방으로부터 상기 막을 개재하여 상기 기판에 주입함과 동시에, 상기 막 중의 13족, 14족, 15족 또는 16족의 원소를 상기 기판 중에 도입하는 공정을 포함하는, 이온주입방법. 상기 막형성 조성물은, 13족, 14족, 15족 또는 16족의 원소를 포함하는 화합물 및 유기용제를 포함하는 이온주입용 막형성 조성물이다. 또한, 적어도 2개의 붕산에스테르기를 가지는 화합물을 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물이다. There is provided an ion implantation method, a composition for forming an ion implantation film and a resist underlayer film-forming composition. An ion implantation method including the steps of: forming a film by applying a film-forming composition containing a compound including an element in group 13, group 14, group 15, or group 16 and an organic solvent onto a substrate and baking the film-forming composition; and implanting impurity ions into the substrate from above through the film and introducing the element in group 13, group 14, group 15, or group 16 in the film into the substrate. The film-forming composition is a film-forming composition for ion implantation containing a compound including an element in group 13, group 14, group 15, or group 16, and an organic solvent. In addition, the underlayer film-forming composition contains a compound having at least two borate ester groups.
Author OHASHI TOMOYA
KISHIOKA TAKAHIRO
Author_xml – fullname: OHASHI TOMOYA
– fullname: KISHIOKA TAKAHIRO
BookMark eNrjYmDJy89L5WQwcfP08VVw8w_y9fRzV3D29w3wD_YM8fT3U3D0c1EA0Z6-AT6OfiGOYEFf1xAPfxceBta0xJziVF4ozc2g7OYa4uyhm1qQH59aXJCYnJqXWhLvHWRkYGhhYGBhaGFs6GhMnCoAb1gqDQ
ContentType Patent
DBID EVB
DatabaseName esp@cenet
DatabaseTitleList
Database_xml – sequence: 1
  dbid: EVB
  name: esp@cenet
  url: http://worldwide.espacenet.com/singleLineSearch?locale=en_EP
  sourceTypes: Open Access Repository
DeliveryMethod fulltext_linktorsrc
Discipline Medicine
Chemistry
Sciences
Physics
DocumentTitleAlternate 막형성 조성물 및 이온주입방법
ExternalDocumentID KR20180081831A
GroupedDBID EVB
ID FETCH-epo_espacenet_KR20180081831A3
IEDL.DBID EVB
IngestDate Fri Jul 19 15:32:02 EDT 2024
IsOpenAccess true
IsPeerReviewed false
IsScholarly false
Language English
Korean
LinkModel DirectLink
MergedId FETCHMERGED-epo_espacenet_KR20180081831A3
Notes Application Number: KR20187019213
OpenAccessLink https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20180717&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20180081831A
ParticipantIDs epo_espacenet_KR20180081831A
PublicationCentury 2000
PublicationDate 20180717
PublicationDateYYYYMMDD 2018-07-17
PublicationDate_xml – month: 07
  year: 2018
  text: 20180717
  day: 17
PublicationDecade 2010
PublicationYear 2018
RelatedCompanies NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD
RelatedCompanies_xml – name: NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD
Score 3.1140735
Snippet [과제] 이온주입방법 및 이온주입용 막형성 조성물 및 레지스트 하층막 형성 조성물을 제공하는 것. [해결수단] 13족, 14족, 15족 또는 16족의 원소를 포함하는 화합물 및 유기용제를 포함하는 막형성 조성물을 기판 상에 도포하고 베이크하여 막을 형성하는 공정, 불순물 이온을 상기...
SourceID epo
SourceType Open Access Repository
SubjectTerms ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAININGELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN,SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
CHEMISTRY
CINEMATOGRAPHY
COMPOSITIONS BASED THEREON
COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
ELECTROGRAPHY
HOLOGRAPHY
MATERIALS THEREFOR
METALLURGY
ORGANIC CHEMISTRY
ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS
ORIGINALS THEREFOR
PHOTOGRAPHY
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES
PHYSICS
SEMICONDUCTOR DEVICES
THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP
Title FILM FORMING COMPOSITION AND ION IMPLANTATION METHOD
URI https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20180717&DB=EPODOC&locale=&CC=KR&NR=20180081831A
hasFullText 1
inHoldings 1
isFullTextHit
isPrint
link http://utb.summon.serialssolutions.com/2.0.0/link/0/eLvHCXMwfV3dS8MwED_m_HzT6vBjSkHpW3Cjabs9DNma1tYtbalV9jaSbgVRtuEq_vsmsdM97SkkB8clcLnc1y8Ad12ZLJpiGzHbnCHMuIV40eoiu2NNHZOzvNWW3cg0soMX_DS2xjX4WPfCKJzQbwWOKDQqF_peqvt6-R_EIqq2cnXP38TS4sHPesSovON2R7onBhn0vCQmsWu4bm-YGlH6S5PwbWa7vwO74iHtSH3wXgeyL2W5aVT8Y9hLBL95eQK194UGh-767zUNDmiV8tZgX9Vo5iuxWOnh6hSwH46oLhw4GkaPuhvTJH4OZbBJ70dEl2NIk1E_ylQESqdeFsTkDG59L3MDJASZ_O17Mkw3pTYbUJ8v5rNz0BlzCsxkPKhTYMcqJMK2aXEsfYuccXwBzW2cLreTr-BITpFCj2xCvfz8ml0Ly1vyG3VgP-XTgS8
link.rule.ids 230,309,783,888,25576,76882
linkProvider European Patent Office
linkToHtml http://utb.summon.serialssolutions.com/2.0.0/link/0/eLvHCXMwfV3dS8MwED_m_JhvWh1-TC0ofSuuNO26hyFbP2xt05ZZZW8l6VoQZRuu4r9vEjfd054Cd3BcApfL3eV-B3DX58WiKTJVYuqligg1VFp1-6ppGdOeTknR1Xg3Mo5N_wU9TYxJAz7WvTACJ_RbgCMyiyqYvdfivl78J7Ec8bdyeU_fGGn-4GUDR1lFx5rFwxPFGQ3cNHESW7HtQThW4vEvj8O36dpwB3bZI9vi8w7c1xHvS1lsOhXvCPZSJm9WH0PjfS5By17PXpPgAK9K3hLsiz-axZIRV3a4PAHkBRGWWQCHg_hRthOcJs8BTzbJw9iR-RrgNBrGmchAydjN_MQ5hVvPzWxfZYrkf_vOw_Gm1nobmrP5rDwDmZBehQjPB1kV6hkVR9jWDYp4bFEQis6hs03SxXb2DbT8DEd5FMThJRxyliqQJDvQrD-_yivmhWt6LQ7vBxx0hB8
openUrl ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info%3Aofi%2Fenc%3AUTF-8&rfr_id=info%3Asid%2Fsummon.serialssolutions.com&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Apatent&rft.title=FILM+FORMING+COMPOSITION+AND+ION+IMPLANTATION+METHOD&rft.inventor=OHASHI+TOMOYA&rft.inventor=KISHIOKA+TAKAHIRO&rft.date=2018-07-17&rft.externalDBID=A&rft.externalDocID=KR20180081831A