Semiconductor memory device and operating method thereof
The present invention provides a semiconductor memory device capable of improving reliability of a program operation of the semiconductor memory device, and an operating method thereof. The semiconductor memory device comprises: multiple pages in which multiple memory cells are included; periphery c...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
09.07.2018
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Summary: | The present invention provides a semiconductor memory device capable of improving reliability of a program operation of the semiconductor memory device, and an operating method thereof. The semiconductor memory device comprises: multiple pages in which multiple memory cells are included; periphery circuits composed to perform the program operation of the page selected among the pages; and a control logic performing a main program operation of the selected page, and controlling the periphery circuits so that a compensation program operation of the memory cells having a relatively lower threshold voltage holding property than other memory cells among the memory cells included in the selected page is performed when completing the main program operation.
본 기술은 다수의 메모리 셀들이 포함된 다수의 페이지들; 상기 페이지들 중 선택된 페이지의 프로그램 동작을 수행하도록 구성된 주변 회로들; 및 상기 선택된 페이지의 메인 프로그램 동작을 수행하고, 상기 메인 프로그램 동작이 완료되면 상기 선택된 페이지에 포함된 메모리 셀들 중 문턱전압 유지 특성이 다른 메모리 셀들보다 상대적으로 낮은 메모리 셀들의 보상 프로그램 동작이 수행되도록 상기 주변 회로들을 제어하는 제어 로직을 포함하는 반도체 메모리 장치 및 이의 동작 방법을 포함한다. |
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Bibliography: | Application Number: KR20160182696 |