불휘발성 반도체 기억 장치

메모리 셀 형성부(3a)에서는, 소스측 선택 게이트 전극(SG)과 드레인측 선택 게이트 전극(DG)을 절단 가능한 4개의 전기적 절단부(13a, 13b, 13d, 13c(13e, 13f, 13h, 13g))를 연장 설치 전극부(15a(15b))의 측벽을 따라 설치하고, 소스측 선택 게이트 전극(SG)과 드레인측 선택 게이트 전극(DG)을 절단시키는 개소를 종래보다도 증가시켰으므로, 그만큼 종래보다도 데이터 판독 동작 시에 전압 변동에 의하여 발생하는 판독 오동작을 방지할 수 있다. According to the present inv...

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Main Authors KAWASHIMA YASUHIKO, OWADA FUKUO, TANIGUCHI YASUHIRO, KASAI HIDEO, SAKURAI RYOTARO, YOSHIDA SHINJI, OKUYAMA KOSUKE, SHINAGAWA YUTAKA
Format Patent
LanguageKorean
Published 06.07.2018
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
INFORMATION STORAGE
PHYSICS
SEMICONDUCTOR DEVICES
STATIC STORES
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Summary:메모리 셀 형성부(3a)에서는, 소스측 선택 게이트 전극(SG)과 드레인측 선택 게이트 전극(DG)을 절단 가능한 4개의 전기적 절단부(13a, 13b, 13d, 13c(13e, 13f, 13h, 13g))를 연장 설치 전극부(15a(15b))의 측벽을 따라 설치하고, 소스측 선택 게이트 전극(SG)과 드레인측 선택 게이트 전극(DG)을 절단시키는 개소를 종래보다도 증가시켰으므로, 그만큼 종래보다도 데이터 판독 동작 시에 전압 변동에 의하여 발생하는 판독 오동작을 방지할 수 있다. According to the present invention, in a memory cell forming unit (3a), four electrical disconnection units (13a, 13b, 13d, 13c (13e, 13f, 13h, 13g)) which can disconnect a source-side selection gate electrode (SG) from a drain-side selection gate electrode (DG) are provided along a side wall of an extended electrode unit (15a (15b)), so that the number of positions at which the source-side selection gate electrode (SG) and the drain-side selection gate electrode (DG) are disconnected is increased. Accordingly, compared to the conventional technologies, erroneous reading operations which are caused by voltage variation during a data reading operation can be further prevented.
Bibliography:Application Number: KR20177036930