에피택셜 성장용 기판 및 그 제조 방법

• Main Authors: KUROKAWA TEPPEI, OKAYAMA HIRONAO, HASHIMOTO YUSUKE
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 02.07.2018
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

이상부(abnormal part)(a3)를 형성시키지 않고, 더 고도의 2축 결정 배향성을 갖는 에피택셜 성장용 기판의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 금속 기재 및 fcc 압연 집합 조직을 갖는 구리층을 표면 활성화 접합으로 적층하는 공정과, 구리층에 기계 연마를 실시하는 공정과, 구리층의 배향화 열처리를 행하는 공정을 포함하는 에피택셜 성장용 기판의 제조 방법으로서, XRD 측정에 의한 적층전의 구리층 및 적층후의 구리층의 (200)면의 비율을 각각 I0, I0로 하고, 적층전의 구리층 및 적층후의 구리층의 (220)면의 비율을 각각 I2, I2로 하였을 때 I0<20%, I2=70~90%이고, I0<20%, I2=70~90% 및 I0-I0<13%가 되도록 적층하는 것을 특징으로 한다. It is an object to provide a substrate for epitaxial growth having a metal base material laminated with a copper layer. On a surface of the copper layer, an area occupied by crystal grains having crystal orientations other than a (200) plane present within 3 μm from the surface can be less than 1.5%. A surface roughness along a same direction as a rolling direction per unit length of 60 μm when measured by AFM can be Ra1<10 nm.