선택적 표면 개질을 이용하여 구조를 충전하기 위한 기술들

디바이스 프로세싱의 방법. 방법은 층에 공동을 제공하는 단계, 공동의 바닥 표면에 활성 플럭스를 보내는 단계, 수분-함유 환경에 공동의 노출을 수행하는 단계, 및 원자 층 증착 (ALD) 프로세스를 이용하여 공동에 충전 재료를 도입하는 단계를 포함할 수 있고, 충전 재료는 공동의 측벽에 대하여 공동의 바닥 표면상에 선택적으로 증착된다. A method of device processing. The method may include providing a cavity in a layer, directing energetic flux t...

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Main Authors LESCHKIES KURTIS, VERHAVERBEKE STEVEN
Format Patent
LanguageKorean
Published 22.06.2018
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:디바이스 프로세싱의 방법. 방법은 층에 공동을 제공하는 단계, 공동의 바닥 표면에 활성 플럭스를 보내는 단계, 수분-함유 환경에 공동의 노출을 수행하는 단계, 및 원자 층 증착 (ALD) 프로세스를 이용하여 공동에 충전 재료를 도입하는 단계를 포함할 수 있고, 충전 재료는 공동의 측벽에 대하여 공동의 바닥 표면상에 선택적으로 증착된다. A method of device processing. The method may include providing a cavity in a layer, directing energetic flux to a bottom surface of the cavity, performing an exposure of the cavity to a moisture-containing ambient, and introducing a fill material in the cavity using an atomic layer deposition (ALD) process, wherein the fill material is selectively deposited on the bottom surface of the cavity with respect to a sidewall of the cavity.
Bibliography:Application Number: KR20187013726