SEMICONDUCTOR DEVICE ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD
According to an embodiment of the present invention, a semiconductor device comprises a galvanically isolated signal transmission coupler including a contact pad. The contact pad includes a metal base layer, a metal diffusion barrier layer located on the metal base layer, and a metal wire bondable l...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
20.06.2018
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Summary: | According to an embodiment of the present invention, a semiconductor device comprises a galvanically isolated signal transmission coupler including a contact pad. The contact pad includes a metal base layer, a metal diffusion barrier layer located on the metal base layer, and a metal wire bondable layer located on the metal diffusion barrier layer. The metal diffusion barrier layer includes a first part and a second part. The first part has a first surface and a second surface facing the first surface. The first surface includes a curved surface at the periphery. The first part extends in cross-section and has a width. The second part protrudes from the second surface in the middle of the width of the first part.
실시예에서, 반도체 디바이스는 접촉 패드를 포함하는 갈바닉 전기로 격리된 신호 전달 커플러를 포함한다. 접촉 패드는 금속 베이스 층과, 금속 베이스 층 상에 배치된 금속 확산 배리어 층과, 금속 확산 배리어 층 상에 배치된 금속 와이어 본딩가능한 층을 포함한다. 금속 확산 배리어 층은 제 1 부분 및 제 2 부분을 포함한다. 제 1 부분은 제 1 표면 및 제 1 표면에 대향하는 제 2 표면을 갖는다. 제 1 표면은 주변부에 곡면을 포함한다. 제 1 부분은 횡단면으로 연장되고 폭을 갖는다. 제 2 부분은 상기 제 1 부분의 폭의 중간에서 제 2 표면으로부터 돌출된다. |
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Bibliography: | Application Number: KR20170170107 |