FINFET DEVICE AND METHODS OF FORMING

• Main Authors: CHIEN WEI TING, NIEH CHUN FENG, LIN YU CHANG, LI HOU JU, CHAHG TIEN SHUN, CHANG HUICHENG, TSAO CHIH PIN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 07.06.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided are a fin field effect transistor (FinFET) device and a formation method thereof. According to the present invention, the formation method comprises: a step of forming a dummy gate on and along sidewalls of a fin upwardly extended from a semiconductor substrate; a step of forming a first gate spacer along a sidewall of the dummy gate; and a step of performing plasma-doping of the first gate spacer with carbon to form a carbon-doped gate spacer. Moreover, the formation method comprises: a step of forming a source/drain area adjacent to a channel area of the fin; and a step of diffusing the carbon into a first area of the fin from the carbon-doped gate spacer in order to provide a first carbon-doped area. The first carbon-doped area is disposed between at least a part of the source/drain area and the channel area of the fin. 핀펫(finFET) 디바이스 및 핀펫 디바이스를 형성하는 방법이 제공된다. 상기 방법은 반도체 기판으로부터 위쪽으로 연장되는 핀의 측벽들 위에 그리고 상기 측벽들을 따라 더미 게이트를 성막하는 단계; 상기 더미 게이트의 측벽을 따라 제1 게이트 스페이서를 형성하는 단계; 탄소-도핑된 게이트 스페이서를 형성하기 위하여, 상기 제1 게이트 스페이서를 탄소로 플라즈마-도핑하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 또한, 상기 핀의 채널 영역에 인접하게 소스/드레인 영역을 형성하는 단계; 및 제1 탄소-도핑된 영역을 제공하기 위하여, 상기 탄소-도핑된 게이트 스페이서로부터 상기 핀의 제1 영역 내로 탄소를 확산시키는 단계를 포함한다. 상기 제1 탄소-도핑된 영역은 상기 소스/드레인 영역의 적어도 일부분과 상기 핀의 채널 영역 사이에 배치된다.