레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
레이저 가공 방법은, 실리콘 기판의 이면을 레이저광 입사면으로 하여, 1064nm보다도 큰 파장을 가지는 레이저광을 가공 대상물에 집광시키고, 절단 예정 라인을 따라서 레이저광의 제1 집광점을 이동시킴으로써, 절단 예정 라인을 따라서 제1 개질 영역을 형성하는 제1 공정과, 제1 공정후에, 실리콘 기판의 이면을 레이저광 입사면으로 하여, 1064nm보다도 큰 파장을 가지는 레이저광을 가공 대상물에 집광시키고, 레이저광의 제1 집광점을 맞춘 위치에 대해서 레이저광의 제2 집광점을 오프셋시키면서, 절단 예정 라인을 따라서 레이저광의 제...
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Format | Patent |
Language | Korean |
Published |
01.06.2018
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Summary: | 레이저 가공 방법은, 실리콘 기판의 이면을 레이저광 입사면으로 하여, 1064nm보다도 큰 파장을 가지는 레이저광을 가공 대상물에 집광시키고, 절단 예정 라인을 따라서 레이저광의 제1 집광점을 이동시킴으로써, 절단 예정 라인을 따라서 제1 개질 영역을 형성하는 제1 공정과, 제1 공정후에, 실리콘 기판의 이면을 레이저광 입사면으로 하여, 1064nm보다도 큰 파장을 가지는 레이저광을 가공 대상물에 집광시키고, 레이저광의 제1 집광점을 맞춘 위치에 대해서 레이저광의 제2 집광점을 오프셋시키면서, 절단 예정 라인을 따라서 레이저광의 제2 집광점을 이동시킴으로써, 절단 예정 라인을 따라서 제2 개질 영역을 형성하는 제2 공정을 포함한다.
A laser processing method includes: a first step of converging laser light having a wavelength larger than 1064 nm on an object to be processed with a rear face of a silicon substrate as a laser light entrance surface and moving a first converging point of the laser light along a line to cut, and thereby forming a first modified region along the line to cut; and a second step of converging the laser light having a wavelength larger than 1064 nm on the object to be processed with the rear face as the laser light entrance surface after the first step and moving a second converging point of the laser light along the line to cut while offsetting the second converging point with respect to a position where the first converging point is aligned, and there by forming a second modified region along the line to cut. |
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Bibliography: | Application Number: KR20187011218 |