태양 전지의 포일 기반 금속배선을 위한 압입 방식

태양 전지의 포일 기반 금속배선을 위한 압입 방식 및 그에 따른 태양 전지가 기술된다. 예를 들어, 태양 전지를 제조하는 방법은 기판 내에 또는 기판 위에 복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역 위에 금속 포일을 위치시키는 단계를 또한 포함한다. 상기 방법은 금속 포일의 일부만을 통해 복수의 압흔을 형성하되, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역 사이의 위치에 대응하는 영역에 복수의 압흔을 형성하는 단계를 또한 포함한다. 상기 방법은 복수의 압흔을 형성하...

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Main Authors HARDER NILS PETER, SEWELL RICHARD HAMILTON
Format Patent
LanguageKorean
Published 25.05.2018
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Summary:태양 전지의 포일 기반 금속배선을 위한 압입 방식 및 그에 따른 태양 전지가 기술된다. 예를 들어, 태양 전지를 제조하는 방법은 기판 내에 또는 기판 위에 복수의 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역 위에 금속 포일을 위치시키는 단계를 또한 포함한다. 상기 방법은 금속 포일의 일부만을 통해 복수의 압흔을 형성하되, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역 사이의 위치에 대응하는 영역에 복수의 압흔을 형성하는 단계를 또한 포함한다. 상기 방법은 복수의 압흔을 형성하는 단계 이후에, 교번하는 N형 및 P형 반도체 영역에 대응하는 나머지 금속 포일의 영역을 격리시키는 단계를 또한 포함한다. Indentation approaches for foil-based metallization of solar cells, and the resulting solar cells, are described. For example, a method of fabricating a solar cell includes forming a plurality of alternating N-type and P-type semiconductor regions in or above a substrate. The method also includes locating a metal foil above the alternating N-type and P-type semiconductor regions. The method also includes forming a plurality of indentations through only a portion of the metal foil, the plurality of indentations formed at regions corresponding to locations between the alternating N-type and P-type semiconductor regions. The method also includes, subsequent to forming the plurality of indentations, isolating regions of the remaining metal foil corresponding to the alternating N-type and P-type semiconductor regions.
Bibliography:Application Number: KR20187013396