Page buffer memory device including same and read operation method thereof

• Main Authors: KIM, CHAE HOON, JEON, YUN YEONG, CHUN, JIN YOUNG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 25.05.2018
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

The present invention provides a page buffer which can improve a data reading speed and reading operation reliability with respect to a memory cell, a memory device including the same, and a reading method thereof. According to an embodiment of the present invention, the page buffer comprises: a precharge part precharging a bit line of a selection memory cell of a memory cell array through a first precharge line and precharging a sensing node through a second precharge line during a precharge interval; a bit line connection part connected between the bit line and the sensing node, including a connection node connected to the first precharge line, and controlling voltage of the sensing node during a develop interval based on a bit line connection control signal and a sensing node voltage control signal individually having a constant level; and a data input/output part generating sensing data by sensing a voltage level of the sensing node during a sensing interval. 본 개시의 일 실시예에 따른 페이지 버퍼는, 프리차지 구간동안 제 1 프리차지 라인을 통해 메모리 셀 어레이의 선택 메모리 셀의 비트라인을 프리차지하고, 제 2 프리차지 라인을 통해 센싱노드를 프리차지하는 프리차지부, 상기 비트라인과 상기 센싱노드 사이에 연결되며, 상기 제 1 프리차지 라인과 연결되는 연결노드를 포함하고, 각각 일정한 레벨을 갖는 비트라인 연결 제어신호 및 센싱노드 전압 제어신호를 기반으로 디벨롭 구간동안 상기 센싱노드의 전압을 제어하는 비트라인 연결부 및 센싱 구간동안 상기 센싱노드의 전압 레벨을 센싱하여 센싱 데이터를 생성하는 데이터 입출력부를 포함한다.