기판들을 프로세싱하기 위한 RF 펄스 반사 감소

• Main Author: KAWASAKI KATSUMASA
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 24.05.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS

프로세스 챔버들에서의 RF 펄스 반사 감소를 위한 방법들 및 시스템들이 본원에서 제공된다. 일부 실시예들에서, 방법은, (a) 제1 시간 기간 동안에 복수의 RF 생성기들로부터 복수의 펄스 RF 전력 파형들을 제공하는 단계, (b) 복수의 펄스 RF 전력 파형들 각각에 대해, 초기 반사 전력 프로파일을 결정하는 단계, (c) 복수의 펄스 RF 전력 파형들 각각에 대해, 반사 전력의 가장 높은 레벨을 결정하고, 그리고 반사 전력의 가장 높은 레벨을 감소시키기 위해, 정합 네트워크 또는 RF 생성기 중 적어도 하나를 제어하는 단계, (d) 복수의 펄스 RF 전력 파형들 각각에 대해, 조정된 반사 전력 프로파일을 결정하는 단계, 및 (e) 복수의 펄스 RF 전력 파형들에 대한 조정된 반사 전력 프로파일이 임계 튜닝 범위 내에 있게 될 때까지 (c) 단계 및 (d) 단계를 반복하는 단계를 포함한다. Methods and systems for RF pulse reflection reduction in process chambers are provided herein. In some embodiments, a method includes (a) providing a plurality of pulsed RF power waveforms from a plurality of RF generators during a first time period, (b) determining an initial reflected power profile for each of the plurality of pulsed RF power waveforms, (c) for each of the plurality of pulsed RF power waveforms, determining a highest level of reflected power, and controlling at least one of a match network or the RF generator to reduce the highest level of reflected power, (d) determining an adjusted reflected power profile for each of the plurality of pulsed RF power waveforms and (e) repeating (c) and (d) until the adjusted reflected power profile for each of the plurality of pulsed RF power waveforms is within a threshold tuning range.