전력 레일 인바운드 MOL(MIDDLE OF LINE) 라우팅

• Main Authors: LIM HYEOKJIN BRUCE, YE QI, DUAN ZHENGYU, MALABRY MICKAEL
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 24.05.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CALCULATING; COMPUTING; COUNTING; ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

소정의 양상들에서, 반도체 다이는 전력 레일, 제 1 게이트 및 제 2 게이트를 포함한다. 또한, 반도체 다이는 제 1 게이트에 전기적으로 커플링되는 제 1 게이트 콘택 - 제 1 게이트 콘택은 제 1 MOL(middle of line) 금속층으로부터 형성됨 - ; 및 제 2 게이트에 전기적으로 커플링되는 제 2 게이트 콘택을 포함하고, 제 2 게이트 콘택은 제 1 MOL 금속층으로부터 형성된다. 추가로, 반도체 다이는, 제 2 MOL 금속층으로부터 형성되는 인터커넥트(interconnect)를 포함하고, 인터커넥트는 제 1 및 제 2 게이트 콘택들에 전기적으로 커플링되고, 인터커넥트의 적어도 일부는 전력 레일 아래에 있다. In certain aspects, a semiconductor die includes a power rail, a first gate, and a second gate. The semiconductor die also includes a first gate contact electrically coupled to the first gate, wherein the first gate contact is formed from a first middle of line (MOL) metal layer, and a second gate contact electrically coupled to the second gate, wherein the second gate contact is formed from the first MOL metal layer. The semiconductor die further includes an interconnect formed from a second MOL metal layer, wherein the interconnect is electrically coupled to the first and second gate contacts, and at least a portion of the interconnect is underneath the power rail.