단결정 패드 전사 방법

• Main Author: GHYSELEN BRUNO
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 24.05.2018
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

본 발명은 다음 단계들을 포함하는 전사 방법에 관한 것이다: (a) 중간 기재(10)를 제공하는 단계로서, 상기 중간 기재(10)는, 그것의 면(face)들 중 하나에서, 블록들(20)을 포함하며, 상기 블록들(20)은 단결정 재료로 되어 있으며, 상기 블록들(20)은 취성 영역(embrittlement area)(50)을 포함하며, 상기 취성 영역(50)은 최종 기재(60) 상에 전사되도록 의도된 블록 부분(70)을 한정하는, 단계; (b) 상기 블록들(20) 각각의 상기 자유 표면(40)을 상기 최종 기재(60)와 접촉시킴으로써 조립 단계를 실행하는 단계; 및 (c) 상기 조립 단계 후에, 상기 블록들(20) 각각의 상기 취성 영역(50)에서 분리 단계를 실행하는 단계. 상기 전사 방법은, 상기 조립 단계 동안, 상기 블록들(20)의 상기 자유 표면들이 동일 평면이 되도록 상기 중간 기재(10)가 변형되는 것을 특징으로 한다. A method of transferring blocks of semiconductor material to a substrate comprises the following steps: a. providing an intermediate substrate, the intermediate substrate comprising, on one of its faces, blocks, the blocks comprise a monocrystalline material, the blocks comprising an embrittlement area delimiting a block portion intended to be transferred onto a final substrate; b. executing an assembling step by putting a free surface of each of the blocks in contact with the final substrate; and c. executing, after the assembling step, detachment at the embrittlement area of each of the blocks. During the assembling step, the intermediate substrate deforms so that the free surfaces of the blocks become coplanar.