습식 에칭 프로세스의 온도의 동적 제어를 위한 방법 및 장치

• Main Authors: ROTONDARO ANTONIO LUIS PACHECO, PRINTZ WALLACE P
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 14.05.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

선택된 온도에서 황산의 방사상 분배의 동적 제어를 통한 웨이퍼 표면 위의 황산 프로세스의 온도 프로파일을 제어하는 방법은, 위에 층이 형성된 기판을 제공하는 단계; 기판의 영역에 걸쳐 에칭 레이트를 변경하기 위해 제2 화학 물질 분배의 적어도 하나의 파라미터를 조정하면서 층 상의 제1 화학 물질 및 제2 화학 물질을 분배하는 단계를 포함한다. A method for controlling the temperature profile of phosphoric acid process over a wafer surface through the dynamic control of radial dispensing of sulfuric acid at a selected temperature, which includes providing a substrate with a layer formed thereupon; dispensing a first chemical and second chemicals onto the layer while adjusting at least one parameter of the second chemical dispense to vary the etch rate across a region of the substrate.