비-휘발성 메모리에 대한 서브-블록 모드

• Main Authors: TSENG HUAI YUAN, DUTTA DEEPANSHU, MIAO XIAOCHANG, YANG XIANG
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 10.05.2018
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

NAND 스트링을 이용하여 감지 동작을 수행하는 것에 후속하여, 또는 감지 동작 동안에, NAND 스트링 내에서 잔여 전자들을 감소시키기 위한 시스템들 및 방법들이 개시되어 있다. NAND 스트링의 중간의 메모리 셀 트랜지스터들이 NAND 스트링의 드레인-측 단부 및/또는 NAND 스트링의 소스-측 단부를 향하는 다른 메모리 셀 트랜지스터들을 프로그래밍하고 검증하기 이전에, 프로그래밍 및 프로그램 검증되는 미들-아웃 프로그래밍 시퀀스가 수행될 수 있다. 일 예에서, NAND 스트링의 소스-측 단부로부터 NAND 스트링의 드레인-측 단부까지의 워드 라인들 WL0 내지 WL31과 대응하는 32개의 메모리 셀 트랜지스터를 갖는 NAND 스트링에 대하여, 워드 라인 WL16과 대응하는 메모리 셀 트랜지스터는 워드 라인들 WL15 및 WL17과 대응하는 메모리 셀 트랜지스터들을 프로그래밍하기 이전에, 프로그래밍 및 프로그램 검증될 수 있다. Systems and methods for reducing residual electrons within a NAND string subsequent to performing a sensing operation using the NAND string or during the sensing operation. A middle-out programming sequence may be performed in which memory cell transistors in the middle of the NAND string are programmed and program verified prior to programming and verifying other memory cell transistors towards the drain-side end of the NAND string and/or the source-side end of the NAND string. In one example, for a NAND string with 32 memory cell transistors corresponding with word lines WL0 through WL31 from the source-side end of the NAND string to the drain-side end of the NAND string, the memory cell transistor corresponding with word line WL16 may be programmed and program verified prior to programming the memory cell transistors corresponding with word lines WL15 and WL17.