Photoelectric element using valley-spin photoelectron

• Main Authors: CHOI, HYUN YONG, CHA, SOON YOUNG, SIM, SANG WAN, LEE, DO EON
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 09.05.2018
• Subjects: ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

According to embodiments of the present invention, a photoelectric element is provided. The photoelectric element includes a light receiving unit which includes a transition metal dichalcogenide layer and a charge induction layer covering the transition metal dichalcogenide layer, a detecting unit including a phase insulation layer arranged apart from the transition metal dichalcogenide layer, and a connection unit for connecting the transition metal dichalcogenide layer to the phase insulation layer. Accordingly, the present invention can generate electric signals of different directions according to the kind of incident rotary polarization. 본 발명의 실시예들에 따르면 광전 소자가 제공된다. 상기 광전 소자는 전이금속 디칼코게나이드 층 및 상기 전이금속 디칼코게나이드 층을 덮는 전하 유도 층을 포함하는 수광부, 상기 전이금속 디칼코게나이드 층으로부터 이격하여 배치된 위상 절연 층을 포함하는 검출부, 및 상기 전이금속 디칼코게나이드 층과 상기 위상 절연 층을 연결하는 연결부를 포함한다.