게르마늄 함유 반도체 디바이스 및 그 형성 방법

• Main Authors: TAPILY KANDABARA N, WAJDA CORY, LEUSINK GERRIT J, CONSIGLIO STEVEN P, CLARK ROBERT D
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 30.04.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

게르마늄 함유 반도체 디바이스 및 게르마늄 함유 반도체 디바이스를 형성하기 위한 방법이 개시된다. 상기 방법은 게르마늄 함유 기판을 제공하는 단계, 게르마늄 함유 기판 상에 알루미늄 함유 확산 장벽 층을 성막하는 단계, 알루미늄 함유 확산 장벽 층 상에 하이 k 층을 성막하는 단계, 및 게르마늄 함유 기판의 산화를 회피하면서 하이 k 층의 EOT(equivalent oxide thickness)를 감소시키기 위해 원자 산소에 하이 k 층을 노출시키는 단계를 포함한다. 게르마늄 함유 반도체 디바이스는, 게르마늄 함유 기판, 게르마늄 함유 기판 상의 알루미늄 함유 확산 장벽층, 및 알루미늄 함유 확산 장벽층 상의 하이 k 층을 포함하고, 하이 k 층은 게르마늄 함유 기판의 산화를 회피하면서 하이 k 층의 EOT를 감소시키기 위해 원자 산소에 노출된다. A germanium-containing semiconductor device and a method for forming a germanium-containing semiconductor device are described. The method includes providing a germanium-containing substrate, depositing an aluminum-containing diffusion barrier layer on the germanium-containing substrate, depositing a high-k layer on the aluminum-containing diffusion barrier layer, and exposing the high-k layer to atomic oxygen to reduce the equivalent oxide thickness (EOT) of the high-k layer while avoiding oxidizing the germanium-containing substrate. The germanium-containing semiconductor device includes a germanium-containing substrate, an aluminum-containing diffusion barrier layer on the germanium-containing substrate, and a high-k layer on the aluminum-containing diffusion barrier layer, where the high-k layer has been exposed to atomic oxygen to reduce the EOT of the high-k layer while avoiding oxidizing the germanium-containing substrate.