METHODS OF CONTROLLING RECLAIM OF NONVOLATILE MEMORY DEVICES METHODS OF OPERATING STORAGE DEVICES AND STORAGE DEVICES

• Main Authors: KANG, WOO HYUN, OH, SHIN HO, KIM, MIN KYU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 20.04.2018
• Subjects: CALCULATING; COMPUTING; COUNTING; ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

Embodiments of the present invention provide a reclaim control method of a non-volatile memory device including a plurality of memory blocks wherein each of the memory blocks is provided with a plurality of pages. The non-volatile memory device includes a memory cell array. By the method, when an error of first data read from a first page of a first memory block among the memory blocks is not corrected, a recovery readout operation is performed with respect to the first data by using optimal readout level voltage determined based on the first data, and when an error of the first data is corrected as a result of performing the recovery readout operation, it is determined whether reclaim of the first page is performed on the basis of threshold voltage distribution of memory cells of the first page on an area of interest near the optimal readout level voltage. The present invention can prevent a page from being changed into a page including an error which cannot be corrected, thereby enhancing performance of a storage device and reliability of data. 본 발명의 실시예들에 따른 복수의 메모리 블록들을 포함하고, 상기 메모리 블록들 각각은 복수의 페이지들을 구비하는 메모리 셀 어레이를 포함하는 비휘발성 메모리 장치의 리클레임 제어 방법에서는 상기 메모리 블록들 중 제1 메모리 블록의 제1 페이지로부터 독출된 제1 데이터의 에러가 정정되지 않는 경우, 상기 제1 데이터를 기초로 결정된 최적 독출 레벨 전압을 이용하여 상기 제1 데이터에 대하여 리커버리 독출 동작을 수행하고, 상기 리커버리 독출 동작의 수행 결과 상기 제1 데이터의 에러가 정정되는 경우, 상기 최적 독출 레벨 전압 부근의 관심 영역의 상기 제1 페이지의 메모리 셀들의 문턱 전압 산포를 기초로 상기 제1 페이지의 리클레임 수행 여부를 판단한다.