MAGNETIC JUNCTION USABLE IN A MAGNETIC DEVICE AND FABRICATING THE SAME

• Main Authors: LEE, DON KOUN, FENG GEN, KROUNBI MOHAMAD TOWFIK, TANG XUETI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 17.04.2018
• Subjects: ELECTRICITY

Provided are a magnetic junction used for a magnetic device and a manufacturing method thereof. The magnetic junction, which is disposed on a substrate and can be used for a magnetic device, comprises: a pinned layer; a free layer switchable between a plurality of stable magnetic states when a write current passes through a magnetic junction; and a non-magnetic spacer layer interposed between the pinned layer and the free layer. The free layer has free layer perpendicular magnetic anisotropy energy greater than free layer-out-of-plane demagnetization energy. Accordingly, the magnetic junction capable of improving performance of a memory based on spin transfer torque can be provided. 자기 장치에 사용 가능한 자기 접합 및 그 제조 방법이 제공된다. 자기 접합은, 기판 상에 배치되고, 자기 장치(magnet device)에 사용 가능한 자기 접합으로, 고정층, 기록 전류(write current)가 자기 접합을 통과할 때, 복수의 안정한 자기 상태 사이에서 스위칭 가능한(switchable) 자유층, 및 고정층과 자유층 사이에 개재되는 비자기 스페이서층을 포함하고, 자유층은, 자유층 면외 자기소거 에너지(out-of-plane demagnetization energy)보다 큰 자유층 수직 자기 이방성 에너지(perpendicular magnetic anisotropy energy)를 갖고, 자유층은, [CoFeB]Mo층을 포함하고(u + t =1이고, x + y + z =1이고, u, t, x, y 및 z는 각각 0이 아님), [CoFeB]Mo층은, [CoFeB]Mo층 면외 자기소거 에너지보다 큰 [CoFeB]Mo층 수직 자기 이방성 에너지를 갖는다.