METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Author: CHIDA AKIHIRO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 09.04.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The objective of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device in which characteristics in a defect due to a crack occurring in a semiconductor device is reduced. By providing a crack suppression layer around a region where a semiconductor element is formed, a crack occurring from the outer periphery of a substrate can be suppressed, and damages to the semiconductor element can be reduced. In addition, even if the semiconductor device is subjected to physical forces from the outer periphery in separation and transposition steps, progression (growth) of a crack to the semiconductor device can be suppressed by the crack suppression layer. 본 발명은 크랙에 기인하는 반도체 장치의 특성 불량을 저감한 반도체 장치의 제작 방법을 제공하는 것을 목적 중 하나로 한다. 반도체 소자가 형성되는 주변에 크랙 억지층을 제공함으로써 기판 외주부로부터 크랙이 발생하는 것을 억지하고 반도체 소자에 가해지는 대미지를 저감할 수 있다. 또한, 박리 및 전치할 때, 상기 반도체 장치에 외주부로부터 물리적인 힘이 가해진 경우라도 크랙 억지층에 의하여 상기 반도체 장치까지 크랙이 진행(성장)하는 것을 방지할 수 있다.