POLYCRYSTALLINE SILICON FRAGMENTS AND PROCESS FOR COMMINUTING POLYCRYSTALLINE SILICON RODS

• Main Authors: GRUEBL PETER, PECH REINER
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 05.04.2018
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; COMPOUNDS THEREOF; CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING; CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING IN GENERAL; CRYSTAL GROWTH; INORGANIC CHEMISTRY; METALLURGY; MILLING GRAIN; NON-METALLIC ELEMENTS; PERFORMING OPERATIONS; PREPARATORY TREATMENT OF GRAIN FOR MILLING; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; TRANSPORTING; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

표면 상에 탄화텅스텐 입자를 가지는 다결정질 실리콘 단편으로서, 상기 탄화텅스텐 입자의 질량 가중 평균 크기가 0.5 ㎛ 이하, 바람직하게는 0.2 ㎛ 이하이거나 0.8 ㎛ 이상, 바람직하게는 1.3 ㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 다결정질 실리콘 단편. 탄화텅스텐을 포함하는 표면을 가지는 하나 이상의 분쇄 도구에 의하여 다결정질 실리콘 로드를 분쇄하여 단편을 제공하는 방법으로서, 상기 수행 표면의 탄화텅스텐 함량은 95% 이하이고 상기 탄화텅스텐 입자의 질량 가중 입도는 0.8 ㎛ 이상이거나, 상기 수행 표면의 탄화텅스텐 함량은 80% 이상이고 상기 탄화텅스텐 입자의 입도는 0.5 ㎛ 이하인, 분쇄 방법. Comminuted polysilicon with reduced contamination is prepared using multi-step comminution employing comminution with comminution tools of differing tungsten carbide content and/or grain size.