메모리 디바이스에서의 워드라인들에 대한 에칭 스톱의 제공

• Main Authors: HALLER GORDON A, LIU JUN
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 04.04.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 개시내용의 실시예들은 3D 메모리 어레이의 계단 구조체를 형성하는 워드라인들에 에칭 스톱들을 제공하는 기술들에 관한 것이다. 일 실시예에서, 장치는 다이에서 계단 구조체로 배치된 워드라인들을 갖는 3D 메모리 어레이를 포함할 수 있다. 워드라인은 실리사이드 층 및 워드라인의 단부 주위에서 실리사이드 층에 접하도록 배치된 스페이서를 포함할 수 있다. 실리사이드 층 및 스페이서는 워드라인 콘택 구조체에 대한 워드라인의 에칭 스톱을 형성하여 에칭 스톱 상에 워드라인 콘택 구조체의 퇴적에 응답해서 워드라인을 메모리 어레이와 전기적으로...