메모리 디바이스에서의 워드라인들에 대한 에칭 스톱의 제공

• Main Authors: HALLER GORDON A, LIU JUN
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 04.04.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 개시내용의 실시예들은 3D 메모리 어레이의 계단 구조체를 형성하는 워드라인들에 에칭 스톱들을 제공하는 기술들에 관한 것이다. 일 실시예에서, 장치는 다이에서 계단 구조체로 배치된 워드라인들을 갖는 3D 메모리 어레이를 포함할 수 있다. 워드라인은 실리사이드 층 및 워드라인의 단부 주위에서 실리사이드 층에 접하도록 배치된 스페이서를 포함할 수 있다. 실리사이드 층 및 스페이서는 워드라인 콘택 구조체에 대한 워드라인의 에칭 스톱을 형성하여 에칭 스톱 상에 워드라인 콘택 구조체의 퇴적에 응답해서 워드라인을 메모리 어레이와 전기적으로 연결시킬 수 있다. 에칭 스톱은 원하지 않은 단락들을 피하기 위해, 워드라인 콘택 구조체가 계단 구조체의 인접한 워드라인과 물리적 또는 전기적으로 접촉하는 것을 방지하도록 구성될 수 있다. 다른 실시예들이 설명 및/또는 청구될 수 있다. Embodiments of the present disclosure are directed towards techniques to provide etch stops to the wordlines that form a staircase structure of a 3D memory array. In one embodiment, the apparatus may comprise a 3D memory array having wordlines disposed in a staircase structure. A wordline may include a silicide layer and a spacer disposed to abut the silicide layer around an end of the wordline. The silicide layer and the spacer may form an etch stop of the wordline for a wordline contact structure to electrically connect the wordline with the memory array in response to a deposition of the wordline contact structure on the etch stop. The etch stop may be configured to prevent a physical or electrical contact of the wordline contact structure with an adjacent wordline of the staircase structure, in order to avoid undesired short circuits. Other embodiments may be described and/or claimed.