Semiconductor device having an interconnection structure

• Main Authors: YIM, TAE JIN, KIM, BYUNG HEE, OSZINDA THOMAS, JUNG, DEOK YOUNG, BAEK, JONG MIN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 22.03.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a semiconductor device having a wiring structure which can improve the performance of the semiconductor device. The semiconductor device comprises: an etch stop layer arranged on a lower structure having a contact structure; a buffer layer arranged on the etch stop layer; an insulating layer between metals formed with a low-dielectric material arranged on the buffer layer, wherein the insulating layer between metals includes first and second regions having different dielectric constants; and a wiring structure including a plug part electrically connected to the contact structure, and a wiring part on the plug part. The plug part includes: a first part passing through the etch stop layer; and a second part arranged in the insulating layer between metals, and having the width wider than that of the first part. The wiring part has a side surface surrounded by the insulating layer between metals. 배선 구조체를 갖는 반도체 소자를 제공한다. 이 반도체 소자는 콘택 구조체를 갖는 하부 구조물 상에 배치되는 식각 저지 층을 포함한다. 상기 식각 저지 층 상에 버퍼 층이 배치된다. 상기 버퍼 층 상에 저-유전체 물질로 형성되는 금속간 절연 층이 배치된다. 상기 금속간 절연 층은 서로 다른 유전율을 갖는 제1 영역 및 제2 영역을 포함한다. 상기 콘택 구조체와 전기적으로 연결되는 플러그 부분 및 상기 플러그 부분 상의 배선 부분을 포함하는 배선 구조체가 배치된다. 상기 플러그 부분은 상기 식각 저지 층을 관통하는 제1 부분 및 상기 금속간 절연 층 내에 배치되며 상기 제1 부분 보다 큰 폭을 갖는 제2 부분을 포함하고, 상기 배선 부분은 상기 금속간 절연 층에 의해 둘러싸이는 측면을 갖는다.