EUV APPARATUS FOR EUV IMAGING AND METHODS OF USING SAME

• Main Authors: WACK DANIEL C, MCGUIRE JAMES P. JR, KVAMME DAMON F, RODGERS JOHN M, ROGERS JOHN R
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 15.03.2018
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS

일 실시예는 타겟 기판(106)을 조명하기 위한 조명 소스(102), 타겟 기판으로부터 반사되는 EUV 광을 투사하기 위한 대물렌즈 광학계(108), 및 투사된 EUV 광을 검출하기 위한 센서(110)를 포함하는 장치에 관한 것이다. 대물렌즈 광학계는 타겟 기판으로부터 반사되는 EUV 광을 수신 및 반사하도록 정렬되는 제 1 미러(202,302, 또는 402), 제 1 미러에 의해 반사되는 EUV 광을 수신 및 반사하도록 정렬되는 제 2 미러(204, 304, 또는 404), 제 2 미러에 의해 반사되는 EUV 광을 수신 및 반사하도록 정렬되는 제 3 미러(206, 306, 또는 406), 및 제 3 미러에 의해 반사되는 EUV 광을 수신 및 반사하도록 정렬되는 제 4 미러(208, 308, 또는 408)를 포함한다. One embodiment relates to an apparatus that includes an illumination source (102) for illuminating a target substrate (106), objective optics (108) for projecting the EUV light which is reflected from the target substrate, and a sensor (110) for detecting the projected EUV light. The objective optics includes a first mirror (202,302, or 402) which is arranged to receive and reflect the EUV light which is reflected from the target substrate, a second mirror (204, 304, or 404) which is arranged to receive and reflect the EUV light which is reflected by the first mirror, a third mirror (206, 306, or 406) which is arranged to receive and reflect the EUV light which is reflected by the second mirror, and a fourth mirror (208, 308, or 408) which is arranged to receive and reflect the EUV light which is reflected by the third mirror.