포토리소그래피에 사용되는 포토레지스트 세정 조성물 및 이로 기판을 처리하는 방법
(a) 4차 암모늄 하이드록사이드, (b) 수용성 유기 용매의 혼합물, (c) 적어도 하나의 부식 억제제, 및 (d) 물을 함유하는, 3-150 ㎛의 막 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 스트립핑하기 위한 포토레지스트 세정 조성물, 및 이로 기판을 처리하는 방법이 개시된다. It is disclosed a photoresist cleaning composition for stripping a photoresist pattern having a film thickness of 3-150 μm, which contains (a) quat...
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Format | Patent |
Language | Korean |
Published |
14.03.2018
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Summary: | (a) 4차 암모늄 하이드록사이드, (b) 수용성 유기 용매의 혼합물, (c) 적어도 하나의 부식 억제제, 및 (d) 물을 함유하는, 3-150 ㎛의 막 두께를 갖는 포토레지스트 패턴을 스트립핑하기 위한 포토레지스트 세정 조성물, 및 이로 기판을 처리하는 방법이 개시된다.
It is disclosed a photoresist cleaning composition for stripping a photoresist pattern having a film thickness of 3-150 μm, which contains (a) quaternary ammonium hydroxide (b) a mixture of water-soluble organic solvents (c) at least one corrosion inhibitor and (d) water, and a method for treating a substrate therewith. |
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Bibliography: | Application Number: KR20187006229 |