필라멘트 전도 경로를 가진 수직 자기 메모리

• Main Authors: MUKHERJEE NILOY, OGUZ KAAN, KARPOV ELIJAH V, SURI SATYARTH, KENCKE DAVID L, KUO CHARLES C, DOCZY MARK L, CHAU ROBERT S, DOYLE BRIAN S, O'BRIEN KEVIN P, MAJHI PRASHANT
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 06.03.2018
• Subjects: ELECTRICITY

실시예는 장치를 포함하고, 이 장치는 기판 상의 제1 및 제2 전극들; 고정 층과 자유 층 사이의 유전체 층을 포함하는, 제1 및 제2 전극들 사이의 수직 자기 터널 접합(pMTJ); 및 제1 및 제2 금속 층들과 직접 접촉하는 추가적인 유전체 층을 포함하고; (a) 제1 금속 층은 활성 금속을 포함하고, 제2 금속은 불활성 금속을 포함하며, (b) 제2 금속 층은 자유 층과 직접 접촉한다. 다른 실시예들이 본 명세서에 설명된다. An embodiment includes an apparatus comprising: first and second electrodes on a substrate; a perpendicular magnetic tunnel junction (pMTJ), between the first and second electrodes, comprising a dielectric layer between a fixed layer and a free layer; and an additional dielectric layer directly contacting first and second metal layers; wherein (a) the first metal layer includes an active metal and the second metal includes an inert metal, and (b) the second metal layer directly contacts the free layer. Other embodiments are described herein.