안티퓨즈 프로그래밍 전압의 제어된 수정

안티퓨즈 프로그래밍 전압의 제어된 수정이 설명된다. 한 예에서, 안티퓨즈 회로가, 안티퓨즈 회로의 게이트 영역을 포함하여, 기판 상에 형성된다. 분자가 게이트 영역의 구조를 손상시키기 위해 게이트 영역 내로 주입된다. 전극들이 안티퓨즈 회로를 다른 소자들에 접속시키기 위해 게이트 영역들 위에 형성된다. The controlled modification of an antifuse programming voltage is described. In one example, an antifuse circuit is formed on a su...

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Main Authors TONG XIAOGHONG, BAI PENG, JAN CHIA HONG, HAFEZ WALID M, MA ZHIYONG, CHEN ZHANPING
Format Patent
LanguageKorean
Published 27.02.2018
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
INFORMATION STORAGE
PHYSICS
SEMICONDUCTOR DEVICES
STATIC STORES
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Summary:안티퓨즈 프로그래밍 전압의 제어된 수정이 설명된다. 한 예에서, 안티퓨즈 회로가, 안티퓨즈 회로의 게이트 영역을 포함하여, 기판 상에 형성된다. 분자가 게이트 영역의 구조를 손상시키기 위해 게이트 영역 내로 주입된다. 전극들이 안티퓨즈 회로를 다른 소자들에 접속시키기 위해 게이트 영역들 위에 형성된다. The controlled modification of an antifuse programming voltage is described. In one example, an antifuse circuit is formed on a substrate, including a gate area of the antifuse circuit. A molecule is implanted into the gate area to damage the structure of the gate area. Electrodes are formed over the gate areas to connect the antifuse circuit to other components.
Bibliography:Application Number: KR20187002225