반도체 장치, 그 제작 방법, 및 전자 기기

• Main Authors: YAMAMOTO YOSHIAKI, OKAZAKI YUTAKA, KURATA MOTOMU, AGAWA SHINYA, MATSUBAYASHI DAISUKE, NAGAI MASAHARU, ITO DAIGO, YAMADE NAOTO, HAMADA TAKASHI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 27.02.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

반도체 장치는 기판 위의 제 1 절연층, 제 1 절연층 위의 제 1 금속 산화물층, 제 1 금속 산화물층 위의 산화물 반도체층, 산화물 반도체층 위의 제 2 금속 산화물층, 제 2 금속 산화물층 위의 게이트 절연층, 제 2 금속 산화물층 위의 제 2 절연층, 및 게이트 절연층 위의 게이트 전극층을 포함한다. 게이트 절연층은 게이트 전극층의 측면과 접촉되는 영역을 포함한다. 제 2 절연층은 게이트 절연층과 접촉되는 영역을 포함한다. 산화물 반도체층은 제 1 영역 내지 제 3 영역을 포함한다. 제 1 영역은 게이트 전극층과 중첩되는 영역을 포함한다. 제 1 영역과 제 3 영역 사이에 있는 제 2 영역은 게이트 절연층 또는 제 2 절연층과 중첩되는 영역을 포함한다. 제 2 영역 및 제 3 영역은 각각 원소(은 인, 아르곤, 또는 제논임)을 포함하는 영역을 포함한다. A semiconductor device includes a first insulating layer over a substrate, a first metal oxide layer over the first insulating layer, an oxide semiconductor layer over the first metal oxide layer, a second metal oxide layer over the oxide semiconductor layer, a gate insulating layer over the second metal oxide layer, a second insulating layer over the second metal oxide layer, and a gate electrode layer over the gate insulating layer. The gate insulating layer includes a region in contact with a side surface of the gate electrode layer. The second insulating layer includes a region in contact with the gate insulating layer. The oxide semiconductor layer includes first to third regions. The first region includes a region overlapping with the gate electrode layer. The second region, which is between the first and third regions, includes a region overlapping with the gate insulating layer or the second insulating layer. The second and third regions each include a region containing an element N (N is phosphorus, argon, or xenon).