APPARATUS AND METHOD FOR UNIFORM DEPOSITION

• Main Authors: TANG XIANMIN, SUBRAMANI ANANTHA K, CAO YONG, EWERT MAURICE E, LUBBEN DANIEL C, MILLER KEITH A, GUNG TZA JING, KELKAR UMESH M
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 26.02.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

본 발명의 실시예들은 일반적으로 기판 상의 높은 종횡비 피쳐들의 바닥부 및 측벽들 내의 물질들의 균일한 스퍼터 증착을 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 일 실시예에서, 스퍼터 증착 시스템은, 콜리메이터의 중앙 영역에서부터 콜리메이터의 주변 영역까지 감소하는 종횡비들을 갖는 개구들을 구비하는 콜리메이터를 포함한다. 일 실시예에서, 내부로 그리고 외부로 스레딩된(threaded) 조임쇠(fastener)들의 조합을 포함하는 브라켓 부재(bracket member)를 통해, 콜리메이터는 접지된 실드에 결합된다. 다른 실시예에서, 콜리메이터는 접지된 실드에 일체식으로 부착된다. 일 실시예에서, 물질을 스퍼터 증착하는 방법은 기판 지지물 상에 바이어스를 높은 값과 낮은 값 사이에서 펄싱(pulsing)하는 단계를 포함한다. Embodiments of the present invention generally relate to an apparatus and method for uniform sputter depositing of materials into the bottom and sidewalls of high aspect ratio features on a substrate. In one embodiment, a sputter deposition system includes a collimator that has apertures having aspect ratios that decrease from a central region of the collimator to a peripheral region of the collimator. In one embodiment, the collimator is coupled to a grounded shield via a bracket member that includes a combination of internally and externally threaded fasteners. In another embodiment, the collimator is integrally attached to a grounded shield. In one embodiment, a method of sputter depositing material includes pulsing the bias on the substrate support between high and low values.