조정 가능한 원격 해리

• Main Authors: LUBOMIRSKY DMITRY, SCHATZ KENNETH D, JUNG SOONWOOK, PARK SOONMAN
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 21.02.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

패터닝된 기판의 노출된 부분을 제2 노출된 부분에 대하여 선택적으로 에칭하는 방법들이 설명된다. 이 에칭 프로세스는 불활성 프리커서로부터 원격 플라즈마에 형성된 플라즈마 유출물들과 결합하기 전에 임의의 플라즈마에서 여기되지 않은 산화 프리커서를 사용하는 가스상 에칭이다. 플라즈마 유출물들은 플라즈마-프리 원격 챔버 영역에서 및/또는 플라즈마-프리 기판 처리 영역에서 산화 프리커서와 결합될 수 있다. 플라즈마 유출물들의 결합은 산화 프리커서를 여기시키고 패터닝된 기판의 노출된 부분으로부터 재료를 제거한다. 에칭율은 산화 프리커서의 유량 또는 여기되지 않은/플라즈마 여기된 유량 비율을 조정함으로써 제어 가능하고 선택 가능하다. Methods of selectively etching an exposed portion of a patterned substrate relative to a second exposed portion are described. The etching process is a gas phase etch which uses an oxidizing precursor unexcited in any plasma prior to combination with plasma effluents formed in a remote plasma from an inert precursor. The plasma effluents may be combined with the oxidizing precursor in a plasma-free remote chamber region and/or in a plasma-free substrate processing region. The combination of the plasma effluents excites the oxidizing precursor and removes material from the exposed portion of the patterned substrate. The etch rate is controllable and selectable by adjusting the flow rate of the oxidizing precursor or the unexcited/plasma-excited flow rate ratio.