전도성 커넥터들의 형성에서의 귀금속들의 이용

• Main Authors: BERGSTROM DANIEL B, GRIGGIO FLAVIO, CHEBIAM RAMANAN V, JEZEWSKI CHRISTOPHER J, INDUKURI TEJASWI K, CLARKE JAMES S, MUKHERJEE SRIJIT
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 12.02.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

일 실시예에서, 마이크로전자 컴포넌트를 위한 전도성 커넥터는 장벽 라이너와 전도성 충전 재료 사이에 배치된, 접착/습윤 층으로서 작동하는, 귀금속 층으로 형성될 수 있다. 추가의 실시예에서, 전도성 커넥터는 장벽 라이너 상에 직접적으로 배치된 귀금속 전도성 충전 재료를 가질 수 있다. 접착/습윤 층으로서, 또는 전도성 충전 재료로서의 귀금속의 이용은 갭충전 및 접착을 개선시킬 수도 있고, 이것은 공극들이 실질적으로 없는 전도성 커넥터로 귀착될 수 있고, 이로써, 접착/습윤 층 또는 전도성 충전 재료로서의 귀금속을 갖지 않는 전도성 커넥터들에 비해 전도성 커넥터의 전기적 성능을 개선시킬 수 있다. In one embodiment, a microelectronic device structure, comprises a dielectric material layer over a conductive land, wherein the dielectric material layer comprises an opening extending through the dielectric material layer to a portion of the conductive land; and a conductive connector, the conductive connector comprising a conductive fill material comprising ruthenium; and a second material between the conductive fill material and a sidewall of the opening of the dielectric material layer, wherein the second material is made of titanium, tantalum, tungsten, molybdenum or nitrides thereof, wherein the conductive land is a part of a conductive route structure, wherein the conductive route structure is a back end metallization.