METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: KWON, YONG HYUN, YOON, SANG JOON, JUNG, SEUNG JAE, KIM, HA NA, JANG, DAE HYUN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 07.02.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is a method for manufacturing a semiconductor device with improved reliability. According to an embodiment of the present invention, the method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of: alternately stacking mold insulating layers and sacrificial layers on a substrate; forming channel holes passing through the mold insulating layers and the sacrificial layers and forming recess regions on the substrate; cleaning the surface of the recess regions by alternately repeating formation of a first protective layer in an upper region of the channel holes and heterogeneous dry etching of the recess regions in a lower part of the channel holes at least one time in an in-situ manner; and forming epitaxial layers on the recess regions of the substrate. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법은, 기판 상에 몰드 절연층들 및 희생층들을 교대로 적층하는 단계, 상기 몰드 절연층들 및 상기 희생층들을 관통하고, 상기 기판에 리세스 영역들을 형성하는 채널홀들을 형성하는 단계, 상기 채널홀들의 상부 영역에 제1 보호층을 형성하는 것과 상기 채널홀들의 하부의 상기 리세스 영역들을 이방성 건식 식각하는 것을 인-시추(in-situ)로 번갈아 1회 이상 반복함으로써, 상기 리세스 영역들의 표면을 세정하는 단계, 및 상기 기판의 상기 리세스 영역들 상에 에피택셜층들을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.