SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS

• Main Authors: YOO, JIN HYUK, CHO, BYOUNG HA, SHIN, SEUNG CHUL
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 29.01.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed is a substrate processing apparatus. According to the substrate processing apparatus of the present invention, the upper surface of a substrate facing a gas injection unit is located at the same height as the upper surface of a disk facing the gas injection unit or at a higher position than the upper surface of the disk with respect to the height direction of a chamber. Therefore, since reaction gas and by-products of the process gas are quickly discharged without being stagnated on the upper surface of the substrate on which source gas of the process gas is deposited, the reaction gas and by-products of the process gas do not affect the upper surface of the substrate. Accordingly, the film quality of the substrate can be improved. In addition, since the distance from the gas injection unit to the upper surface of the substrate is narrower than the distance from the gas injection unit to the upper surface of the disk, the reaction gas and by-products of the process gas are not stagnated on the upper surface of the substrate on which the source gas of the process gas is deposited. Therefore, the reaction gas and by-products of the process gas do not affect the upper surface of the substrate, thereby improving the film quality of the substrate. 기판처리장치가 개시된다. 본 발명에 따른 기판처리장치는, 챔버의 높이 방향을 기준으로, 가스분사유닛을 향하는 기판의 상면이 가스분사유닛을 향하는 디스크의 상면과 동일 높이에 위치되거나, 디스크의 상면 보다 더 높은 위치에 위치된다. 그러면, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 공정가스의 소스가스가 증착되는 기판의 상면측에 정체되지 않고 신속하게 배출되므로, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 기판의 상면에 영향을 끼치지 못한다. 이로 인해, 기판의 막질이 향상되는 효과가 있을 수 있다. 또한, 가스분사유닛에서 기판의 상면 까지의 간격은 가스분사유닛에서 디스크의 상면 까지의 간격 보다 좁으므로, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 공정가스의 소스가스가 증착되는 기판의 상면측에는 정체되지 않는다. 그러면, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 기판의 상면에 영향을 끼치지 못하므로, 기판의 막질이 향상되는 효과가 있을 수 있다.