Variable resistance memory device and method of forming the same

• Main Authors: LEE, JIN WOO, AHN, DONG HO, LEE, JA BIN, WU ZHE, SHIN, HEE JU, PARK, JEONG HEE
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 25.01.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A variable resistance memory device and a method of manufacturing the same are provided. The variable resistance memory device includes first conductive lines extended in a first direction, second conductive lines extended in a second direction intersecting the first direction, and memory cells provided at intersections between the first conductive lines and the second conductive lines, respectively. Each of the memory cells has a switching element connected in series between the first conductive line and the second conductive line connected thereto, and a variable resistance structure. The switching device includes an insulative impurity and a chalcogenide material. The reliability of the variable resistance memory device can be improved. 가변 저항 메모리 소자 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 가변 저항 메모리 소자는 제1 방향으로 연장되는 제1 도전 라인들, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 제2 도전 라인들, 및 상기 제1 도전 라인들과 상기 제2 도전 라인들 사이의 교차점들에 각각 제공되는 메모리 셀들을 포함한다. 상기 메모리 셀들의 각각은 그에 연결되는 상기 제1 도전 라인과 상기 제2 도전 라인 사이에서 직렬로 연결된 스위칭 소자 및 가변 저항 구조체를 포함한다. 상기 스위칭 소자는 절연성 불순물 및 칼코게나이드 물질을 포함한다.