스트레인 재분배 층을 갖는 신장가능 전자 장치 제조 방법
본 발명의 실시예들은 마이크로전자 디바이스 및 마이크로전자 디바이스를 형성하는 방법들을 포함한다. 실시예에서, 마이크로전자 디바이스는 도전성 트레이스에 의해 콘택 패드에 각각 전기적으로 결합되는 하나 이상의 다이 콘택을 갖는 반도체 다이를 포함한다. 반도체 다이는 제1 탄성 모듈러스를 가질 수 있다. 마이크로전자 디바이스는 또한 반도체 다이 및 도전성 트레이스 위에 캡슐화 층을 포함할 수 있다. 캡슐화 층은 제1 탄성 모듈러스보다 작은 제2 탄성 모듈러스를 가질 수 있다. 마이크로전자 디바이스는 또한 캡슐화 층 내에 제1 스트레인...
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Format | Patent |
Language | Korean |
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24.01.2018
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Summary: | 본 발명의 실시예들은 마이크로전자 디바이스 및 마이크로전자 디바이스를 형성하는 방법들을 포함한다. 실시예에서, 마이크로전자 디바이스는 도전성 트레이스에 의해 콘택 패드에 각각 전기적으로 결합되는 하나 이상의 다이 콘택을 갖는 반도체 다이를 포함한다. 반도체 다이는 제1 탄성 모듈러스를 가질 수 있다. 마이크로전자 디바이스는 또한 반도체 다이 및 도전성 트레이스 위에 캡슐화 층을 포함할 수 있다. 캡슐화 층은 제1 탄성 모듈러스보다 작은 제2 탄성 모듈러스를 가질 수 있다. 마이크로전자 디바이스는 또한 캡슐화 층 내에 제1 스트레인 재분배 층을 포함할 수 있다. 제1 스트레인 재분배 층은 반도체 다이 및 도전성 트레이스들의 부분을 커버하는 풋프린트를 가질 수 있다. 스트레인 재분배 층은 제1 탄성 모듈러스보다 작고 제2 탄성 모듈러스보다 큰 제3 탄성 모듈러스를 가질 수 있다.
Embodiments of the invention include a microelectronic device and methods for forming a microelectronic device. In an embodiment, the microelectronic device includes a semiconductor die that has one or more die contacts that are each electrically coupled to a contact pad by a conductive trace. The semiconductor die may have a first elastic modulus. The microelectronic device may also include an encapsulation layer over the semiconductor die and the conductive trace. The encapsulation layer may have a second elastic modulus that is less than the first elastic modulus. The microelectronic device may also include a first strain redistribution layer within the encapsulation layer. The first strain redistribution layer may have a footprint that covers the semiconductor die and a portion of the conductive traces. The strain redistribution layer may have a third elastic modulus that is less than the first elastic modulus and greater than the second elastic modulus. |
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Bibliography: | Application Number: KR20177022402 |