PATTERN FORMATION METHODS

• Main Authors: JASON A. DESISTO, JONG KEUN PARK, CONG LIU, CHOONG BONG LEE, CECILY ANDES, STEFAN J. CAPORALE, CHENG BAI XU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 28.12.2017
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to a method for forming an electronic device, which comprises the steps of: (a) providing a semiconductor substrate including one or more layers to be patterned; (b) forming a photoresist layer on the layers to be patterned, wherein the photoresist layer is formed with a composition including a matrix polymer having a unit having an acid-labile group, a photoacid generator, and an organic solvent; (c) coating the photoresist layer with a photoresist overcoat composition, wherein the overcoat composition includes a matrix polymer, an additive polymer, a basic quencher, and an organic solvent, and the additive polymer has a surface energy lower than a surface energy of the matrix polymer, and is present in the overcoat composition with an amount of 1 to 20 wt % thereof with respect to the total solid of the overcoat composition; (d) exposing the photoresist layer to activated radiation; (e) heating the substrate in a sintering process after exposing the same; and (f) developing the exposed film with an organic solvent developing solution. The electronic device formed by the method of the present invention has a special applicability in a semiconductor manufacturing industry. 전자 디바이스를 형성하는 방법은 하기를 포함한다: (a) 패턴화될 1개 이상의 층을 포함하는 반도체 기판을 제공하는 단계; (b) 상기 패턴화될 1개 이상의 층 상에 포토레지스트 층을 형성하는 단계(상기 포토레지스트 층은 산 불안정한 기를 갖는 단위를 포함하는 매트릭스 폴리머; 광산 발생제; 및 유기 용매를 포함하는 조성물로부터 형성됨); (c) 포토레지스트 층 상에 포토레지스트 오버코트 조성물을 코팅하는 단계(상기 오버코트 조성물은 매트릭스 폴리머; 첨가물 폴리머; 염기성 켄쳐; 및 유기 용매를 포함하고; 상기 첨가물 폴리머는 매트릭스 폴리머의 표면 에너지보다 더 낮은 표면 에너지를 가지며, 그리고 상기 첨가물 폴리머는 상기 오버코트 조성물의 총 고형물을 기준으로 1 내지 20 wt%의 양으로 상기 오버코트 조성물 내에 존재함); (d) 상기 포토레지스트 층을 활성화 방사선에 노출시키는 단계; (e) 상기 기판을 노출후 소성 공정에서 가열하는 단계; 및 (f) 상기 노출된 필름을 유기 용매 현상액으로 현상하는 단계. 본 방법은 반도체 제조 산업에서 특별한 적용가능성을 갖는다.