VERTICAL LIGHT EMITTING DIODE HAVING ELECTRODE CONFIGURATION AND LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE HAVING THE SAME

A vertical light emitting diode having an electrode configuration and a light emitting diode package having the vertical light emitting diode are provided. The light emitting diode according to an embodiment comprises: a semiconductor stack structure including a lower semiconductor layer, an active...

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Main Authors YOU, JONG KYUN, PARK, BYOUNG KYU, KIM, CHANG YEON, KIM, CHAE HON
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 27.12.2017
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Summary:A vertical light emitting diode having an electrode configuration and a light emitting diode package having the vertical light emitting diode are provided. The light emitting diode according to an embodiment comprises: a semiconductor stack structure including a lower semiconductor layer, an active layer, and an upper semiconductor layer; and a lower electrode connected to the lower semiconductor layer. The upper electrode includes an electrode pad and extensions extending from the electrode pad, wherein the electrode pad includes a first electrode pad disposed in an elongated shape along one side edge of the upper semiconductor layer and covering the upper semiconductor layer near the one side edge, and the extensions include edge extensions extending along an edge of the upper semiconductor layer in the electrode pad, and intermediate extensions extending from the edge extensions or the electrode pad to divide a light emitting region. 전극 구조를 갖는 수직형 발광 다이오드 및 그것을 갖는 발광 다이오드 패키지가 제공된다. 일 실시예에 따른 발광 다이오드는, 하부 반도체층, 활성층 및 상부 반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조; 상기 상부 반도체층에 접속된 상부 전극; 상기 하부 반도체층에 접속된 하부 전극을 포함하되, 상기 상부 전극은 전극 패드 및 상기 전극 패드에서 연장된 연장부들을 포함하고, 상기 전극 패드는 상기 상부 반도체층의 일측 가장자리를 따라 기다란 형상으로 배치되어 상기 일측 가장자리 근처의 상부 반도체층을 덮는 제1 전극 패드를 포함하고, 상기 연장부들은 상기 전극 패드에서 상기 상부 반도체층의 가장자리를 따라 연장하는 가장자리 연장부 및 상기 가장자리 연장부 또는 상기 전극패드로부터 연장하여 발광 영역을 나누는 중간 연장부들을 포함한다.
Bibliography:Application Number: KR20160075286