금속 산화막의 성막 방법

• Main Authors: KAWAHARAMURA TOSHIYUKI, ORITA HIROYUKI, FUJITA SHIZUO, UCHIDA TAKAYUKI, HIRAMATSU TAKAHIRO
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 22.12.2017
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

본 발명은, 생산 효율을 높이면서, 고품질의 금속 산화막을 얻는 금속 산화막의 성막 방법을 얻는 것을 목적으로 한다. 그리고, 본 발명의 성막 방법은 이하의 처리를 실행한다. 용액 용기(15) 내에 있어서, 금속 원소인 알루미늄을 포함하는 원료 용액(14)을 미스트화시켜 원료 용액 미스트(M1)를 얻는다. 용액 용기(15)와는 독립된 용액 용기(25) 내에 있어서, 반응 지원 용액(24)을 미스트화시켜 지원제 미스트(M2)를 얻는다. 서로 독립된 경로 L1 및 L2를 통하여 얻어지는 원료 용액 미스트(M1) 및 지원제 미스트(M2)를 혼합 용기(8)에 공급한 후, 혼합 용기(8) 내에 있어서, 원료 용액 미스트(M1)와 지원제 미스트(M2)를 혼합하여 혼합 미스트(M3)를 얻는다. 그리고, 혼합 용기(8)와 독립적으로 설치된 반응 용기(11) 내에 있어서, 대기압 하에 있어서 가열 상태에 있는 P형 실리콘 기판(4)의 이면 상에 혼합 미스트(M3)를 공급한다. Disclosed herein in a method of forming a metal oxide film, which can provide a high-quality metal oxide film while enhancing production efficiency. The method includes the steps of: turning a raw-material solution having a metallic element into a mist, to obtain a raw-material solution mist; turning a reaction aiding solution into a mist, to obtain an aiding-agent mist; feeding the raw-material solution mist and the aiding-agent mist into a mixing vessel, thereby mixing the raw-material solution mist and the aiding-agent mist, to obtain a mixed mist; and feeding the mixed mist onto a back surface of a substrate which is heated, to obtain a metal oxide film.