고주파 프런트엔드 회로

• Main Author: TAKENAKA ISAO
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 12.12.2017
• Subjects: ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRICITY; TRANSMISSION

고주파 프런트엔드 회로(10)는 통신밴드 선택회로(11), 고주파 처리회로(12), 및 멀티밴드 증폭기(20)를 구비한다. 멀티밴드 증폭기(20)는 복수의 통신밴드의 고주파 신호를 증폭한다. 통신밴드 선택회로(11)는 멀티밴드 증폭기(20)의 출력단에 접속되어 있다. 통신밴드 선택회로(11)는 통신밴드 선택 스위치를 포함한다. 고주파 처리회로(12)는 멀티밴드 증폭기(20)와 통신밴드 선택회로(11)를 접속하는 제 1 접속라인과 접지전위의 사이에 접속되어 있다. 고주파 처리회로(12)는 수동소자(71)와 임피던스 선택 스위치(32)를 구비한다. 수동소자(71)는 제 1 접속라인과 접지전위의 사이에 접속되어 있다. 임피던스 선택 스위치(32)는 수동소자(71)와 제 1 접속라인을 접속하는 제 2 접속라인에 제 1 단자가 접속되고, 접지전위에 제 2 단자가 접속되어 있다. A high-frequency front-end circuit includes a communication band selection circuit, a high-frequency processing circuit, and a multi-band amplifier. The multi-band amplifier amplifies high-frequency signals in a plurality of communication bands. The communication band selection circuit is connected an output end of the multi-band amplifier. The communication band selection circuit includes a communication band selection switch. The high-frequency processing circuit is connected between a first connection line connecting the multi-band amplifier and the communication band selection circuit and a ground potential. The high-frequency processing circuit includes a passive element and an impedance selection switch. The passive element is connected between the first connection line and the ground potential. A first terminal of the impedance selection switch is connected to a second connection line connecting the passive element and the first connection line, and a second terminal of the impedance selection switch is connected to the ground potential.