PLASMA PROCESSING APPARATUS PLASMA PROCESSING METHOD AND RECORDING MEDIUM

• Main Author: YAMAWAKU JUN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 08.12.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention provides a technique for reducing influence of a corresponding plasma to a mounting table when a plasma of a charge neutralizing gas is formed during a period of lifting a substrate to be processed from a mounting table made of a material having corrosion resistance against the plasma of the charge neutralizing gas. A plasma processing apparatus (1) holds a substrate (G) to be processed on an electrostatic chuck (22) of a mounting table (2) provided in a processing vessel (10), and carries out a plasma process with a plasma-processed processing gas. When carrying out charge neutralization of the substrate (G) to be processed by using the plasma of the charge neutralizing gas during a period of lifting the substrate (G) to be processed, on which the plasma process has been completed, from the mounting table (2), in order to suppress entry of a by-product attached to the processing vessel (10) and a reactive component of the plasma of the charge neutralizing gas into a lower side of the substrate (G) to be processed, an entry suppression gas is supplied into a space between the mounting table (2) and the substrate (G) to be processed. Also, the mounting table (2) is made of a material having corrosion resistance against the plasma of the charge neutralizing gas. (과제) 제전 가스의 플라즈마에 대한 내식성을 갖는 재료에 의해 구성된 탑재대로부터 피처리 기판을 상승시키는 기간 중에 제전 가스의 플라즈마를 형성할 때에, 해당 플라즈마가 탑재대에 주는 영향을 저감하는 기술을 제공한다. (해결 수단) 플라즈마 처리 장치(1)는 처리 용기(10) 내에 마련된 탑재대(2)의 정전 척(22) 상에 피처리 기판(G)을 유지하고, 플라즈마화된 처리 가스에 의해 플라즈마 처리를 실시한다. 플라즈마 처리를 완료한 피처리 기판(G)을 탑재대(2)로부터 상승 이동시키는 기간 중에, 제전 가스의 플라즈마를 이용해서 피처리 기판(G)의 제전을 실시할 때에, 처리 용기(10)에 부착한 부생성물과 제전 가스의 플라즈마의 반응 성분이 피처리 기판(G)의 하방측에 진입하는 것을 억제하기 위해서, 탑재대(2)와 피처리 기판(G) 사이에 위치하는 공간에 진입 억제 가스를 공급한다. 또한, 이 탑재대(2)는 제전 가스의 플라즈마에 대한 내식성을 갖는 재료에 의해 구성되어 있다.