탄성파 장치

• Main Author: KONOMA CHIHIRO
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 06.12.2017
• Subjects: BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRICITY; IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS

밀착층, 제1 전극층, 확산 방지층, 제2 전극층의 적층 구조에서 내후성이 뛰어난 탄성파 장치를 제공한다. 압전기판(2) 상에 IDT전극(3)이 마련되어 있고, IDT전극(3)은, 제1 및 제2 주면(2a 및 2b)과 측면(11c)을 가지며, 제1 주면(2a)이 압전기판(2)에 접하도록 마련된 밀착층(11)과, 밀착층(11) 상에 마련된 적어도 2 이상의 전극층을 가지고, 상기 적어도 2 이상의 전극층 중 제1 전극층(12)과, 제2 전극층(14)을 가진다. 제1 전극층(12)은 밀도가 Al보다도 높은 재료로 이루어진다. 제2 전극층(14)은 밀도가 제1 전극층(12)보다도 낮다. 적어도 2 이상의 전극층 중 하나의 전극층이, 상기 밀착층(11)보다 내후성이 높고, 밀착층(11)의 측면(11c)을 덮도록 마련되어 있다. In an elastic wave device, an IDT electrode is disposed on a piezoelectric substrate and includes a close contact layer, which includes first and second main surfaces and side surfaces. The first main surface is in contact with the piezoelectric substrate, and at least two electrode layers are disposed on the close contact layer. The at least two electrode layers include a first electrode layer and a second electrode layer. The first electrode layer is made of a material that has a higher density than that of Al. The second electrode layer has a lower density than the first electrode layer. One of the at least two electrode layers has higher weather resistance than the close contact layer and covers the side surfaces of the close contact layer.